Beschreibung
Details
MOSFET Gate Treiber von STMicroelectronics mit einem Treiber und einem Ausgang pro Mosfet
mit einer Anstiegszeit von 170 ns und einer Abfallzeit von 200 ns.
Die maximale Anschaltverzögerungszeit liegt bei 200 ns und die maximale Abschaltverzögerungzeit bei 1000 ns
Die Betriebstemperaturen liegen zwischen - 40°C und + 150°C.
Durch seine Bauweise ist das MOSFET für eine Anwendung im Gleichstrom mit bis zu 50 kHz geeignet.
Das MOSFET verfügt außerdem über einen Kurzschlussschutz, über einen ESD Schutz sowie über eine Abschaltautomatik bei hohen Temperaturen.
Zusatzinformation
Zusatzinformation
| Herstellerbezeichnung 1 | VNN1NV04PTR-E STM |
|---|---|
| Herstellerbezeichnung 2 | VNN1NV04PTR-S2 |
| Gewicht | 1 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Lieferzeit | 1-2 Tage |
| Bildinformation | Original Bilder der Ware / Verpackung |
| Herstellungsdatum | 2019/ Jul |
| LOT CODE | Multiple LotCode T9030PUB0012 |
| Verpackungseinheit | 1000 REEL |
