VNN1NV04PTR-E STM

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Ein Low Side Gate-Treiber N-CH 40V 1.7A OMNIFET mit SMD/SMT Montage. Art des Gehäuse ist SOT-223-3
Verpackung erfolgt als Reel mit 1000 Stück auf einem Gurt.


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VNN1NV04PTR-E STM ist verfügbar in Verpackungseinheiten zu jeweils 1000 Stück
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Beschreibung

Details

MOSFET Gate Treiber von STMicroelectronics mit einem Treiber und einem Ausgang pro Mosfet
mit einer Anstiegszeit von 170 ns und einer Abfallzeit von 200 ns.
Die maximale Anschaltverzögerungszeit liegt bei 200 ns und die maximale Abschaltverzögerungzeit bei 1000 ns
Die Betriebstemperaturen liegen zwischen - 40°C und + 150°C.
Durch seine Bauweise ist das MOSFET für eine Anwendung im Gleichstrom mit bis zu 50 kHz geeignet.
Das MOSFET verfügt außerdem über einen Kurzschlussschutz, über einen ESD Schutz sowie über eine Abschaltautomatik bei hohen Temperaturen.

Zusatzinformation

Zusatzinformation

Herstellerbezeichnung 1 VNN1NV04PTR-E STM
Herstellerbezeichnung 2 VNN1NV04PTR-S2
Gewicht 1
Hersteller STMicroelectronics
Lieferzeit 1-2 Tage
Bildinformation Original Bilder der Ware / Verpackung
Herstellungsdatum 2019/ Jul
LOT CODE Multiple LotCode T9030PUB0012
Verpackungseinheit 1000 REEL

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